Антава

VISHAY

Транзистор IRL510PBF

IRL510PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
4A
Pulsed drain current
18A
Power dissipation
43W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRL510PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current4A
Pulsed drain current18A
Power dissipation43W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±10V
On-state resistance0.54Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge6.1nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB

Документация

Документ производителя