Антава

INFINEON

Транзистор IRL3705NPBF

IRL3705NPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
89 A
Power dissipation
130 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIRL3705NPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current89 A
Power dissipation130 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance10 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge65.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB

Документация

Документ производителя