Антава

INFINEON

Транзистор IRL100HS121

IRL100HS121
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
7.8 A
Power dissipation
5.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRL100HS121
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current7.8 A
Power dissipation5.8 W
КорпусPQFN2X2
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance42 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.7nC
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.8A; 5.8W; PQFN2X2

Документация

Документ производителя