Антава

VISHAY

Транзистор IRFZ40PBF

IRFZ40PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
50 A
Pulsed drain current
200 A
Power dissipation
150 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFZ40PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current50 A
Pulsed drain current200 A
Power dissipation150 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance28 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge67nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.