INFINEON
Транзистор IRFZ34NPBF
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 55 V
- Drain current
- 26 A
- Рассеиваемая мощность
- 56 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 676 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%179,00 ₽
Сумма · с НДС 22%179,00 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 179,00 ₽ | |
| от 10 | 95,28 ₽ | |
| от 50 | 81,48 ₽ | |
| от 100 | 73,09 ₽ | |
| от 500 | 57,99 ₽ | |
| от 1000 | 52,96 ₽ | |
| от 2000 | 48,67 ₽ | |
| от 3000 | 47,55 ₽ | |
| от 5000 | 46,62 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRFZ34NPBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 55 V |
| Drain current | 26 A |
| Рассеиваемая мощность | 56 W |
| Корпус | TO220AB |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 40 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 22.7nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.