Антава

VISHAY

Транзистор IRFZ10PBF

IRFZ10PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
10 A
Pulsed drain current
40 A
Power dissipation
43 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRFZ10PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current10 A
Pulsed drain current40 A
Power dissipation43 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.2 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge11nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.