Антава

VISHAY

Транзистор IRFUC20PBF

IRFUC20PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
1.3A
Power dissipation
42W
Корпус
IPAK, TO251
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFUC20PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current1.3A
Power dissipation42W
КорпусIPAK, TO251
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.4Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge18nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251

Документация

Документ производителя