VISHAY
Транзистор IRFU9110PBF
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -100 V
- Drain current
- -3.1 A
- Pulsed drain current
- -12 A
- Рассеиваемая мощность
- 25 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 225 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%367,33 ₽
Сумма · с НДС 22%367,33 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 367,33 ₽ | |
| от 10 | 280,07 ₽ | |
| от 25 | 229,72 ₽ | |
| от 50 | 196,35 ₽ | |
| от 75 | 179,00 ₽ | |
| от 150 | 150,48 ₽ | |
| от 525 | 115,61 ₽ | |
| от 1050 | 103,86 ₽ | |
| от 3000 | 92,11 ₽ | |
| от 6000 | 87,08 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRFU9110PBF |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -100 V |
| Drain current | -3.1 A |
| Pulsed drain current | -12 A |
| Рассеиваемая мощность | 25 W |
| Корпус | IPAK, TO251 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 1.2 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 8.7nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.