VISHAY

Транзистор IRFU9010PBF

IPAK, TO251Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50 V
Drain current: -5.3 A
Power dissipation: 25 W
Корпус: IPAK, TO251

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IRFU9010PBF
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-50 V
Drain current	-5.3 A
Power dissipation	25 W
Корпус	IPAK, TO251
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.5 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -5.3A; 25W; IPAK,TO251

Документация

Документы пока не предоставлены.