Антава

INFINEON

Транзистор IRFU3910PBF

IRFU3910PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
15 A
Power dissipation
52 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 261 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%111,30 ₽

Сумма · с НДС 22%111,30 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1111,30 ₽
от 150102,81 ₽
от 52595,64 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFU3910PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current15 A
Power dissipation52 W
КорпусIPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.115 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge29.3nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK

Документация

Документ производителя