Антава

VISHAY

Транзистор IRFU210PBF

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
2.6A
Pulsed drain current
10A
Power dissipation
25W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFU210PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current2.6A
Pulsed drain current10A
Power dissipation25W
КорпусIPAK, TO251
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.5Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge8.2nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W

Документация

Документы пока не предоставлены.