Антава

INFINEON

Транзистор IRFU120NPBF

IRFU120NPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
9.1 A
Power dissipation
39 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFU120NPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current9.1 A
Power dissipation39 W
КорпусIPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.21 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge16.7nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK

Документация

Документ производителя