Антава

VISHAY

Транзистор IRFSL9N60APBF

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
9.2 A
Pulsed drain current
37 A
Power dissipation
170 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFSL9N60APBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current9.2 A
Pulsed drain current37 A
Power dissipation170 W
КорпусI2PAK, TO262
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.75 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge49nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W

Документация

Документы пока не предоставлены.