INFINEON
Транзистор IRFSL4127PBF
TO262Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 200 V
- Drain current
- 72 A
- Power dissipation
- 375 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | IRFSL4127PBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 200 V |
| Drain current | 72 A |
| Power dissipation | 375 W |
| Корпус | TO262 |
| On-state resistance | 22 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 0.1µC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; TO262
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.