Антава

VISHAY

Транзистор IRFSL11N50APBF

IRFSL11N50APBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
7 A
Power dissipation
190 W
Корпус
I2PAK, TO262
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFSL11N50APBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current7 A
Power dissipation190 W
КорпусI2PAK, TO262
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.55 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge51nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262

Документация

Документ производителя