INFINEON
Транзистор IRFS7530TRL7PP
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 240 A
- Рассеиваемая мощность
- 375 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 177 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 098,38 ₽
Сумма · с НДС 22%1 098,38 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 098,38 ₽ | |
| от 10 | 644,78 ₽ | |
| от 25 | 601,67 ₽ | |
| от 50 | 569,81 ₽ | |
| от 100 | 537,95 ₽ | |
| от 500 | 464,84 ₽ | |
| от 800 | 444,23 ₽ | |
| от 1600 | 412,36 ₽ | |
| от 2400 | 395,49 ₽ | |
| от 3200 | 382,37 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRFS7530TRL7PP |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 240 A |
| Рассеиваемая мощность | 375 W |
| Корпус | D2PAK-7 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 1.4 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 236nC |
| Kind of channel | enhancement |
| Trade name | StrongIRFET |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.