Антава

INFINEON

Транзистор IRFS4010TRLPBF

IRFS4010TRLPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
127 A
Power dissipation
375 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIRFS4010TRLPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current127 A
Power dissipation375 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge143nC
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK

Документация

Документ производителя