INFINEON
Транзистор IRFS4010TRLPBF
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 127 A
- Power dissipation
- 375 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 701 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%862,37 ₽
Сумма · с НДС 22%862,37 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 862,37 ₽ | |
| от 800 | 362,80 ₽ | |
| от 1600 | 340,01 ₽ | |
| от 2400 | 328,61 ₽ | |
| от 3200 | 319,11 ₽ | |
| от 4000 | 313,42 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRFS4010TRLPBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 127 A |
| Power dissipation | 375 W |
| Корпус | D2PAK |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 4.7 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 143nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.