Антава

VISHAY

Транзистор IRFS11N50APBF

IRFS11N50APBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
7 A
Power dissipation
170 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFS11N50APBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current7 A
Power dissipation170 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.52 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge52nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263

Документация

Документ производителя