VISHAY
Транзистор IRFR9120PBF
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -100 V
- Drain current
- -3.6 A
- Pulsed drain current
- -22 A
- Power dissipation
- 42 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 525 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%186,88 ₽
Сумма · с НДС 22%186,88 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 186,88 ₽ | |
| от 10 | 118,48 ₽ | |
| от 25 | 111,36 ₽ | |
| от 75 | 103,07 ₽ | |
| от 150 | 97,68 ₽ | |
| от 300 | 93,63 ₽ | |
| от 750 | 89,78 ₽ | |
| от 1125 | 87,66 ₽ | |
| от 2250 | 83,61 ₽ | |
| от 5625 | 75,71 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRFR9120PBF |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -100 V |
| Drain current | -3.6 A |
| Pulsed drain current | -22 A |
| Power dissipation | 42 W |
| Корпус | DPAK, TO252 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.6 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 18nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.