Антава

VISHAY

Транзистор IRFR9010PBF

IRFR9010PBF
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-50 V
Drain current
-5.3 A
Pulsed drain current
-21 A
Power dissipation
25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFR9010PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-50 V
Drain current-5.3 A
Pulsed drain current-21 A
Power dissipation25 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.1nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -5.3A; Idm: -21A; 25W

Документация

Документы пока не предоставлены.