Антава

VISHAY

Транзистор IRFR1N60APBF-BE3

IRFR1N60APBF-BE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
1.4 A
Power dissipation
36 W
Корпус
DPAK, TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки у поставщиков.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRFR1N60APBF-BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current1.4 A
Power dissipation36 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 36W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.