Антава

VISHAY

Транзистор IRFR1N60APBF

IRFR1N60APBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
0.89 A
Pulsed drain current
5.6 A
Power dissipation
36 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFR1N60APBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current0.89 A
Pulsed drain current5.6 A
Power dissipation36 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W

Документация

Документ производителя