Антава

VISHAY

Транзистор IRFR120TRRPBF

IRFR120TRRPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
4.9A
Pulsed drain current
31A
Power dissipation
42W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFR120TRRPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current4.9A
Pulsed drain current31A
Power dissipation42W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.27Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W

Документация

Документы пока не предоставлены.