Антава

VISHAY

Транзистор IRFR120PBF

IRFR120PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
4.9 A
Pulsed drain current
31 A
Power dissipation
42 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 58 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%286,00 ₽

Сумма · с НДС 22%286,00 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1286,00 ₽
от 10171,41 ₽
от 50145,10 ₽
от 75138,81 ₽
от 150128,13 ₽
от 300117,26 ₽
от 525108,49 ₽
от 112596,67 ₽
от 300081,42 ₽
от 562571,69 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFR120PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current4.9 A
Pulsed drain current31 A
Power dissipation42 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.27 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W

Документация

Документ производителя