Антава

VISHAY

Транзистор IRFR110PBF-BE3

IRFR110PBF-BE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
2.7 A
Pulsed drain current
17 A
Power dissipation
25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFR110PBF-BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current2.7 A
Pulsed drain current17 A
Power dissipation25 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.54 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.3nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W

Документация

Документы пока не предоставлены.