Антава

VISHAY

Транзистор IRFR110PBF

IRFR110PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
2.7A
Pulsed drain current
17A
Power dissipation
25W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFR110PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current2.7A
Pulsed drain current17A
Power dissipation25W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.54Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W

Документация

Документ производителя