Антава

INFINEON

Транзистор IRFR1018ETRPBF

IRFR1018ETRPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
79 A
Рассеиваемая мощность
110 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRFR1018ETRPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current79 A
Рассеиваемая мощность110 W
КорпусDPAK
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; DPAK

Документация

Документ производителя