VISHAY
Транзистор IRFPF50PBF
Фото недоступно- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 900V
- Drain current
- 4.2A
- Power dissipation
- 190W
- Корпус
- TO247AC
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | IRFPF50PBF |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 900V |
| Drain current | 4.2A |
| Power dissipation | 190W |
| Корпус | TO247AC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 1.6Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 200nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.