Антава

INFINEON

Транзистор IRFP90N20DPBF

IRFP90N20DPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
94 A
Рассеиваемая мощность
580 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 224 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 085,22 ₽

Сумма · с НДС 22%1 085,22 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 085,22 ₽
от 10697,37 ₽
от 25632,11 ₽
от 50587,36 ₽
от 100540,74 ₽
от 400509,04 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFP90N20DPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current94 A
Рассеиваемая мощность580 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance23 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge180nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC

Документация

Документ производителя