Антава

INFINEON

Транзистор IRFP4868PBF

IRFP4868PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300V
Drain current
70A
Power dissipation
517W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFP4868PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300V
Drain current70A
Power dissipation517W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±20V
On-state resistance32mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge180nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC

Документация

Документ производителя