Антава

INFINEON

Транзистор IRFP4768PBFXKMA1

IRFP4768PBFXKMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
66 A
Pulsed drain current
370 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRFP4768PBFXKMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current66 A
Pulsed drain current370 A
Power dissipation520 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance17.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge180nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.