Антава

INFINEON

Транзистор IRFP4668PBFXKMA1

IRFP4668PBFXKMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
130 A
Рассеиваемая мощность
520 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 71 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 275,47 ₽

Сумма · с НДС 22%1 275,47 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 275,47 ₽
от 31 160,89 ₽
от 10909,17 ₽
от 25689,39 ₽
от 50584,20 ₽
от 400548,51 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFP4668PBFXKMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current130 A
Рассеиваемая мощность520 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance9.7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge161nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.