Антава

INFINEON

Транзистор IRFP4668PBFXKMA1

IRFP4668PBFXKMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
130 A
Power dissipation
520 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFP4668PBFXKMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current130 A
Power dissipation520 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance9.7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge161nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.