INFINEON
Транзистор IRFP4368PBFXKMA1
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 75 V
- Drain current
- 350 A
- Рассеиваемая мощность
- 520 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 71 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 401,21 ₽
Сумма · с НДС 22%1 401,21 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 401,21 ₽ | |
| от 10 | 816,91 ₽ | |
| от 25 | 783,41 ₽ | |
| от 50 | 757,36 ₽ | |
| от 100 | 729,45 ₽ | |
| от 250 | 699,67 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRFP4368PBFXKMA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 75 V |
| Drain current | 350 A |
| Рассеиваемая мощность | 520 W |
| Корпус | TO247AC |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 1.8 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 380nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.