Антава

INFINEON

Транзистор IRFP4229PBF

IRFP4229PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
44 A
Power dissipation
310 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFP4229PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current44 A
Power dissipation310 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance46 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge72nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC

Документация

Документ производителя