Антава

INFINEON

Транзистор IRFP3703PBF

IRFP3703PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
210 A
Power dissipation
230 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFP3703PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current210 A
Power dissipation230 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.8 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge209nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC

Документация

Документ производителя