Антава

INFINEON

Транзистор IRFP2907PBF

IRFP2907PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75 V
Drain current
209 A
Рассеиваемая мощность
330 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 168 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 094,61 ₽

Сумма · с НДС 22%1 094,61 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 094,61 ₽
от 10830,45 ₽
от 25645,91 ₽
от 50528,31 ₽
от 100445,08 ₽
от 125434,22 ₽
от 250417,94 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFP2907PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75 V
Drain current209 A
Рассеиваемая мощность330 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge410nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC

Документация

Документ производителя