Антава

INFINEON

Транзистор IRFP260NPBF

IRFP260NPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
35 A
Power dissipation
300 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 280 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%598,34 ₽

Сумма · с НДС 22%598,34 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1598,34 ₽
от 10524,26 ₽
от 25461,58 ₽
от 50408,39 ₽
от 100359,00 ₽
от 400277,33 ₽
от 500265,93 ₽
от 1000241,24 ₽
от 1200239,34 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFP260NPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current35 A
Power dissipation300 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge234nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC

Документация

Документ производителя