Антава

VISHAY

Транзистор IRFP250PBF

IRFP250PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
19A
Power dissipation
190W
Корпус
TO247AC
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFP250PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current19A
Power dissipation190W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.85Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.14µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC

Документация

Документ производителя