Антава

INFINEON

Транзистор IRFP250NPBF

IRFP250NPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
30 A
Рассеиваемая мощность
214 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 243 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%503,81 ₽

Сумма · с НДС 22%503,81 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1503,81 ₽
от 10465,33 ₽
от 25414,04 ₽
от 50351,75 ₽
от 100285,80 ₽
от 400188,70 ₽
от 500179,54 ₽
от 625175,87 ₽
от 800170,38 ₽
от 1000166,71 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFP250NPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current30 A
Рассеиваемая мощность214 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance75 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge123nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC

Документация

Документ производителя