Антава

INFINEON

Транзистор IRFP250MPBF

IRFP250MPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
30A
Power dissipation
214W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFP250MPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current30A
Power dissipation214W
КорпусTO247AD
Gate-source voltage±20V
On-state resistance75mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge123nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD

Документация

Документ производителя