Антава

INFINEON

Транзистор IRFP250MPBF

IRFP250MPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
30 A
Power dissipation
214 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 726 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%608,80 ₽

Сумма · с НДС 22%608,80 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1608,80 ₽
от 5412,29 ₽
от 10346,78 ₽
от 25281,28 ₽
от 50246,60 ₽
от 100223,48 ₽
от 125217,70 ₽
от 250208,07 ₽
от 500200,36 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFP250MPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current30 A
Power dissipation214 W
КорпусTO247AD
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance75 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge123nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD

Документация

Документ производителя