Антава

VISHAY

Транзистор IRFP048RPBF

IRFP048RPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
70 A
Pulsed drain current
290 A
Power dissipation
190 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFP048RPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current70 A
Pulsed drain current290 A
Power dissipation190 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance18 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.