Антава

VISHAY

Транзистор IRFP048PBF

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
70A
Pulsed drain current
290A
Power dissipation
190W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFP048PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current70A
Pulsed drain current290A
Power dissipation190W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±20V
On-state resistance18mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.