VISHAY

Транзистор IRFL9110TRPBF-BE3

IRFL9110TRPBF-BE3

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100 V
Drain current: -0.69 A
Pulsed drain current: -8.8 A
Power dissipation: 3.1 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IRFL9110TRPBF-BE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-100 V
Drain current	-0.69 A
Pulsed drain current	-8.8 A
Power dissipation	3.1 W
Корпус	SOT223
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	1.2 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	8.7nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.