VISHAY
Транзистор IRFL9110TRPBF
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -100 V
- Drain current
- -0.69 A
- Pulsed drain current
- -8.8 A
- Power dissipation
- 3.1 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 6 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%404,22 ₽
Сумма · с НДС 22%404,22 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 404,22 ₽ | |
| от 5 | 193,34 ₽ | |
| от 50 | 113,07 ₽ | |
| от 100 | 109,06 ₽ | |
| от 250 | 104,49 ₽ | |
| от 500 | 88,85 ₽ | |
| от 2500 | 59,68 ₽ | |
| от 5000 | 56,25 ₽ | |
| от 7500 | 52,82 ₽ | |
| от 10000 | 50,91 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRFL9110TRPBF |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -100 V |
| Drain current | -0.69 A |
| Pulsed drain current | -8.8 A |
| Power dissipation | 3.1 W |
| Корпус | SOT223 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 1.2 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 8.7nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.