Антава

VISHAY

Транзистор IRFL110TRPBF

IRFL110TRPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
0.96 A
Pulsed drain current
12 A
Power dissipation
3.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFL110TRPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current0.96 A
Pulsed drain current12 A
Power dissipation3.1 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.54 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223

Документация

Документ производителя