Антава

VISHAY

Транзистор IRFIBC20GPBF

IRFIBC20GPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
1.1 A
Power dissipation
30 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFIBC20GPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current1.1 A
Power dissipation30 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge18nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; 30W; TO220AB

Документация

Документ производителя