Антава

VISHAY

Транзистор IRFIB7N50APBF

IRFIB7N50APBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
6.6A
Pulsed drain current
44A
Power dissipation
60W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFIB7N50APBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current6.6A
Pulsed drain current44A
Power dissipation60W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.52Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge52nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 44A; 60W; TO220FP

Документация

Документ производителя